Første minne-revolusjon på tiår

Intels revolusjonerer minneteknologien for første gang på fire-fem tiår. 3D XPoint opphever skillet mellom korttidsminne og langtidslagring i ett og samme produkt.

DRAM, EPROM og NAND

I 1966 ble DRAM (dynamic random-access memory) oppfunnet, og teknologien er fremdeles i bruk den dag i dag som korttidsminne for datamaskiner. DRAM er relativt raskt, men også relativt dyrt. 

I 1971 kom EPROM-minnet (erasable programmable read-only memory), forløperen til dagens Flash-brikker, og NAND-minnet (negative-AND) fra 1984 er en videreutvikling av dette. Denne typen minne er relativt rimelig, men også relativt treg.

Men den store fordelen, til forskjell fra DRAM,  er selvfølgelig at dette er ikke-volatilt minne som sparer på informasjonen selv om strømmen skrus av. 

3D-minne

Drømmen har lenge vært å kombinere alle disse egenskapene, slik at man har raskt minne som er rimelig, men også ikke-volatilt og dermed egner seg for langtidslagring. Intels 3D Xpoint (uttales «cross point») løser dette ved å stable flere lag i høyden og samtidig oppheve behovet for en kontroller.

Mer plass

Ingen transistorer, med andre ord. Det betyr også mindre plassbehov, noe som gjør at lagringskapasiteten øker tilsvarende.

Resultatet skal være et minne som er mange ganger raskere enn dagens produkter, med den effekt at prosessoren slipper å vente på data fra minnet - en vesentlig flaskehals i dag. 

Macbook-klar

Apples Macbook-produkter er klare for denne nye teknologien, som forventes på markedet i løpet av det kommende året, gjennom NVMe-protokollen (non-volatile memory host controller interface specification).

Apple og Intel har et godt samarbeid, spesielt gjennom Lightning-teknologien, og det er forventet at Apple vil være tidlig ute med å gjøre nytte av nyvinningen.

Teknologien blir tilgjengelig under merkevaren Optane, og ble første gang lansert av Intel og Micron i August 2015.

Sjekk ut en promo-video nedenfor. Via Intel